SiO2疏松体高温脱羟过程数值模拟(续)

作者：张国君,马千里,欧阳葆华,方海生,王韬

摘要：3.2脱羟过程主要参数变化图5所示为熔制过程中SiO2疏松体平均温度(Ta)和平均孔隙率(φa)随时间的变化曲线。可以看出,疏松体平均温度的升高趋势和图3所示的顶面升温曲线保持一致。在10h时顶面温度为1 000℃,疏松体平均温度为997.5℃,两者较为接近。这是由于高温下辐射换热较为强烈,顶面的高温很快传递到疏松体内部。由于35h之前疏松体还未烧结,所以φa保持初始值不变。在35h以后,疏松体开始发生烧结,φa开始下降。当脱羟进行到76.3h时,疏松体全部烧结为石英锭,此后随着温度升高石英锭的孔隙率维持在设定的最低值0.01。

发文机构：湖北菲利华石英玻璃股份有限公司 华中科技大学能源与动力工程学院

关键词：升温曲线SIO2平均温度过程数值模拟变化曲线参数变化

分类号： TQ171.411[化学工程—玻璃工业][化学工程—硅酸盐工业]