基于谐振开关技术的低相噪LC VCO的设计

作者：奉荣,姜丹丹

摘要：基于TSMC 65nm CMOS工艺,设计了一种低相噪宽调谐范围的电压控制振荡器(VCO)。VCO的负电阻部分创新性地使用由NMOS和PMOS晶体管组成的电流复用拓扑结构,谐振开关结构用于实现宽调谐范围和高频振荡时保持较为稳定的压控增益(Kvco)。电路的尾电流部分采用POMS电流镜结构用于减小晶体管闪烁噪声对VCO相位噪声的影响。在1.2 V电源电压下,压控振荡器的功耗为4.5 m W,1.72 GHz频率处相位噪声达到-112 d Bc/Hz@100 k Hz。该LC VCO的宽调谐范围和良好的相位噪声性能较好地用于各种PLL电路中。

发文机构：成都信息工程大学通信工程学院

关键词：电容电感压控振荡器电流复用电容阵列谐振开关锁相环LC VCOcurrent-reusecapacitor arrayresonator-switchingPLL

分类号： TN752[电子电信—电路与系统]