一种高精度过温保护电路的设计

作者：胡扬,聂海

摘要：基于CSMC.25 μm BCD工艺模型和BG电路结构中的三极管VBE的负温度系数,与恒流源和数据选择器所产生的高低阈值电压的比较,得到一种高精度的过温保护电路.通过Cadence IC51 Spectre软件仿真平台仿真验证,在典型的模型(tt)仿真情况下,当温度大于166.4℃时,输出由低变高,控制信号迫使整个芯片关断;当温度低于132℃时,输出电平由高转为低,电路恢复正常工作状态.设置的电源电压范围在3.7 ~5 V时,过温的阈值变化仅为0.3V,由此可见温度的变化精度高.

发文机构：成都信息工程大学

关键词：高精度过温保护阈值电压BCD工艺high precisionover temperature protectionthreshold voltageBCD process

分类号： TN433[电子电信—微电子学与固体电子学]