双金属掺杂CuInS2量子点的制备及其对单层WS2光电性能的影响

作者：刘磊,安升辉,杨海涛,张剑

摘要：考虑到带电激子的调控对二维过渡金属硫化物的光学和电学性能的重要作用,文章对CuInS2量子点进行双掺杂处理,研究了量子点掺杂前后对单层WS2光学与电学性能的调控规律。研究发现,掺杂后的量子点由于存在额外的施主缺陷对单层WS2的带电激子的调控能力更强。

发文机构：江苏集萃华科智能装备科技有限公司 华中科技大学无锡研究院 深圳大学光电工程学院

关键词：量子点掺杂光学性能电学性能

分类号： TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]TQ136.13[化学工程—无机化工]