纳米WO3的研究进展

作者：陈善民,田俐,吴杰灵,刘强,杨明春,马云进

摘要：氧化钨(WO3)作为重要的n型半导体,具有较大的禁带宽度范围(2.4~3.2eV),其优越的物理性能、化学性质引起了人们极大的研究兴趣.WO3在光催化、气体传感器等领域中都非常有潜力,文章主要对WO3的结构简述、制备方法行了总结,并对其目前的应用研究进行了具体分析和展望.

发文机构：湖南科技大学材料科学与工程学院

关键词：WO3制备方法应用领域

分类号： O64[理学—物理化学]