6H—SiC块状单晶的升华法生长

作者：唐连安

摘要：研究了高纯ＳｉＣ粉料的合成及６Ｈ－ＳｉＣ大单晶的升华法生长。成功地生长出走私５ｍｍ，厚度１５ｍｍ的６Ｈ－ＳｉＣ单晶。利用这种晶体基片制成了兰光发光二极管和能在３５０℃以上温度下工作的整流二极管。

关键词：碳化硅单晶生长升华法半导体材料

分类号： TN304.24[电子电信—物理电子学]