现代技术陶瓷 · 2018年第6期390-402,共13页

ZnO压敏电阻及其片式化技术

作者:陈涛,傅邱云,付振晓

摘要:ZnO压敏电阻由于具有独特的非线性I.V特性而在电子电路中得到了广泛应用。随着电子产品向着小型化、高集成化和数字化方向发展,片式ZnO压敏电阻(ZnOMLVs)应用日益广泛。基于此,本文结合作者对ZnO压敏陶瓷还原.再氧化工艺及贱金属内电极的研究,介绍了目前ZnOMLVs的主要材料及工艺研究进展,并对片式ZnO压敏电阻的发展趋势提出了一孔之见。

发文机构:广东风华高新科技股份有限公司 华中科技大学光学与电子信息学院

关键词:ZnOMLVs非线性I.V特性还原.再氧化贱金属内电极ZnO MLVsNonlinear I-V characteristicsReduction-reoxidizationBase metal inner electrodes

分类号: TM23[电气工程—电工理论与新技术][一般工业技术—材料科学与工程]

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