现代技术陶瓷 · 2019年第3期207-214,共8页

PIP法制备C/C-SiC复合材料的工艺研究

作者:姜凯,刘瑞祥,王艳艳,徐鸿照,周长灵,杨芳红

摘要:以聚碳硅烷为原料,利用前驱体浸渍裂解工艺制备了C/C-SiC复合材料。分别研究了以二乙烯基苯和二甲苯为溶剂的聚碳硅烷溶液的粘度值,选择最佳的溶液对复合材料进行浸渍裂解,同时研究了浸渍工艺对复合材料致密度的影响,并对制备的C/C-SiC复合材料进行了微观结构分析。研究表明:以二甲苯为溶剂配制的质量比为0.4的聚碳硅烷溶液在35.C下具有良好的流动性,裂解产率较高;采用超声、真空加压浸渍方式能够有效提高C/C-SiC复合材料的致密度,缩短制备周期。通过9个周期的浸渍裂解,将复合材料的密度快速提升至1.85g/cm^3,材料的最终开气孔率为12.50%,材料内部结构致密,力学性能优异。

发文机构:山东工业陶瓷研究设计院有限公司

关键词:聚碳硅烷C/C-SIC复合材料浸渍工艺PIPPrecursor impregnation pyrolysisC/C-SiCUltrasonic impregnation

分类号: TB332[一般工业技术—材料科学与工程]

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