含氟低介电常数有机材料研究进展

作者：王海,程文海,周涛涛,卢振成,王凌振,蒋梁疏

摘要：低k(介电常数)介质材料替代传统SiO2作为互连金属介电层是集成电路发展的必然趋势。总结了低k材料性能基本要求及制备方法,重点探讨含氟低k有机材料研究进展。认为获得k值低且综合性能优异的含氟有机材料是最终目的,并对含氟低k有机材料的研究前景进行了展望。

发文机构：浙江凯圣氟化学有限公司

关键词：金属介电层低K材料含氟低k有机材料inter-metal dielectric(IMD)low-k materialslow-k fluorinated organic materials

分类号： G63[文化科学—教育学]