4～10 GHz宽带单片集成低噪声放大器设计

作者：陈莹,李斌

摘要：在单片微波集成电路领域,放大器的设计往往不能兼顾噪声、增益和带宽,通常为达到最佳噪声和增益会限制带宽,或者为增大带宽而牺牲噪声和增益。本文采用稳懋公司0.15μmpHEMT工艺,综合各种因素,设计了一款宽带低噪声放大器电路,其频率范围4～10 GHz,增益约25 dB,噪声温度低于100 K,输入输出回波损耗大于10 dB。

发文机构：中国科学院上海天文台 中国科学院研究生院

关键词：宽带单片集成低噪声放大器pHEMT晶体管

分类号： TN7[电子电信—电路与系统]