8-20GHz 宽带单片微波集成低噪声放大器设计

作者：李政凯,陈莹,李斌

摘要：基于其体积小、重量轻、一致性好等特点,单片微波集成电路的低噪声放大器在射电天文中有着重要作用。本文采用稳懋公司150 nm和100 nm赝高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺设计了两款低噪声放大器电路,成功流片,并进行比较。两款放大器的工作频率范围均为8-20 GHz,增益约为23~28 dB,噪声温度低于150K,输入输出回波损耗大于10 dB。

发文机构：中国科学院上海天文台 中国科学院大学

关键词：宽带微波单片集成低噪声放大器pHMET晶体管

分类号： TN722.3[电子电信—电路与系统]