一种pHEMT小信号等效电路模型提取方法

作者：曹杰杰,李斌

摘要：赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)目前广泛应用于低噪声放大器的设计,其小信号等效电路模型对于计算机电子设计自动化(EDA)设计尤为重要。本文介绍了一种pHEMT小信号等效电路模型的参数提取方法,并采用该方法对一款稳懋公司0.15μm工艺pHEMT进行仿真参数提取,结果与稳懋pHEMT模型手册中小信号模型对比,吻合良好,进而希望该模型应用于低温pHEMT小信号模型参数提取。

发文机构：中国科学院上海天文台 中国科学院研究生院

关键词：小信号等效电路模型pHEMT建模参数提取S参数

分类号： TN3[电子电信—物理电子学]