基于砷化镓晶体管的1.35~2.0 GHz低噪声放大器

作者：江龙,李建斌,刘鸿飞,柴晓明

摘要：低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)是接收机系统的关键器件,其性能决定了接收机系统的噪声温度和对微弱射电信号的放大能力。采用Avago公司砷化镓(GaAs)工艺的pHEMT ATF-54134研制了一款可工作在1.35~2.0 GHz频率范围内的低噪声放大器。该放大器采用两级拓扑结构,单电源自偏置供电,典型增益28 dB,典型噪声温度35 K,输入回波损耗优于-10 dB,输出回波损耗优于-15 dB,输入1 dB压缩点为-13 dBm。该放大器除了可用于对中性氢、脉冲星和羟基进行观测的射电望远镜接收机以外,还可用于电波环境监测系统。

发文机构：中国科学院国家天文台 中国科学院大学 中国科学院FAST重点实验室

关键词：低噪声放大器射电天文接收机砷化镓晶体管输入1dB压缩点两级拓扑电路Low noise amplifierRadio astronomy receiversGaAs transistor1 dB compression point2 stages topology circuit

分类号： TN722.1[电子电信—电路与系统]