2~18GHz超宽带低噪声放大器芯片研制

作者：文晓敏,李斌

摘要：低噪声放大器在射电天文望远镜接收机中是一个重要的前端组件,其性能对接收机的灵敏度和噪声有至关重要的影响。采用OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工艺研究和设计了一款工作频率为2~18 GHz的超宽带单片微波集成低噪声放大器芯片,芯片面积为2 mm×1 mm。放大器电路采用三级级联放大、双电源供电拓扑结构,常温在片测试结果显示,全频带增益大于28 dB,噪声温度平均值为93 K,直流功耗150 mW,无条件稳定。该放大器芯片覆盖了射电天文S,C,X,Ku 4个传统观测波段,适用于厘米波段超宽带接收前端和毫米波段超宽带中频放大模块。

发文机构：中国科学院上海天文台 中国科学院大学

关键词：低噪声放大器GAASMHEMT超宽带单片微波集成电路Low noise amplifierGaAs mHEMTUltra-widebandMMIC

分类号： TN722.3[电子电信—电路与系统]