漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别

作者：Tae Yeon Oh

摘要：从20nm技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。

发文机构：泛林集团

关键词：DRAM寄生电容漏电流故障识别结构异常动态随机存取存储器器件设计考虑因素

分类号： TP3[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]